ACS Nano：MoSe2中谷杂化的栅极可调谐1D激子约束

主要观点总结

文章介绍了课题组建立的微信交流群及投稿方式，并重点介绍了在纳米尺度上控制半导体材料中激子的相关研究。文章详细阐述了过渡金属硫族化合物（TMDs）在量子光子学和光电子学领域的应用前景，以及近期关于MoSe2中1D激子电位的研究成果。此外，文章还提供了相关的图文导读和文献信息。

关键观点总结

关键观点1: 微信交流群及投稿方式

为了方便同学交流学习，解决讨论问题，课题组建立了微信交流群，并提供了具体的加群方式和投稿方式。

关键观点2: 过渡金属硫族化合物（TMDs）的研究进展

TMDs单层具有固有的2D约束和显著的激子结合能，是实现无解离激子电场约束的有希望候选者。利用谷自由度进一步拓宽了激子工程的前景。

关键观点3: MoSe2中1D激子电位的研究成果

近日，Frank H.L. Koppens和Antoine Reserbat-Plantey等展示了在MoSe2中从1D量子约束态发射的光偏振的电控制。通过展示非均匀面内电场如何控制这些效应，强调栅极可调谐谷杂化在局部状态中的作用。

关键观点4: 相关文献和机构介绍

文章提供了相关的文献信息和链接，并介绍了上海昂维科技有限公司提供的二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及各种测试分析。

文章预览

点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习，解决讨论问题，我们建立了一些微信群，作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291； 2.告知:姓名-课题组-研究方向，由编辑审核后邀请至对应交流群(生长，物性，器件)； 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告，具体联系人：13162018291（微信同号）             成果介绍 在纳米尺度上控制半导体材料中的激子是量子光子学和光电子学领域的一个巨大挑战。过渡金属硫族化合物（TMDs）单层提供固有的2D约束，并具有显著的激子结合能，使其成为实现无解离激子电场约束的有希望候选者。利用与这些受限态相关的谷自由度进一步拓宽了激子工程的前景。 有鉴于此，近日， 西班牙光子科学研究所Frank H.L. Koppens和Antoine Reserbat-Plantey（共同通讯作者 ………………………………