仅次于光刻！国家电投：半导体重大突破！氢离子注入机交付！

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我国半导体技术取得重大突破 9月 11日 消息， 国家电投 所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。 氢离子注入是半导体晶圆制造中仅 次于光刻的重要环节 ，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。 氢离子注入 关键技术要点： 产生氢离子束--注入氢离子--形成氦气泡与剥离 1、精确控制 ：氢离子注入的剂量、能量和深度需精确控制，以确保达到预期的材料改性效果。 2、真空环境 ：注入过程通常在高真空环境下进行，以避免杂质污染和减少离子散射。 3、材料兼容性 ：氢离子注入技术适用于多种材料，包括半导体材料、金属、陶瓷等，但具体效果可能因材料而异 ………………………………