研究前沿：北京大学Nature Electronics | 二硫化钼MoS2-钇掺杂

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范德瓦尔斯van der Waals材料系统，可用于克服二维半导体基晶体管接触中的费米能级钉扎问题。然而，高级节点光刻兼容advanced-node-lithography-compatible方法的缺失，限制了这种材料在晶片级集成制造中的使用。 今日，北京大学Jianfeng Jiang, Lin Xu，邱晨光Chenguang Qiu & 彭练矛院士Lian-Mao Peng等，在Nature Electronics上发文，报道了一种钇掺杂方法，将半导体二硫化钼molybdenum disulfide (MoS2) 转化为金属MoS2。 这种方法兼容于高级节点晶片级集成，改善了能带对准，并提供了欧姆器件接触。基于包括等离子体、沉积和退火的固态源三步掺杂方法，并且可以提供埃米级厚度的表面掺杂。钇掺杂MoS2用作金属缓冲剂，提升了从金属电极到半导体MoS2的电荷载流子转移。 利用这种方法，在两英寸晶片上制作了自对准的、沟道长度为10nm的MoS2场效应晶体管，其平均接触电阻为69Ω ………………………………