湖南大学，复旦大学Adv. Funct. Mater.: 范德华间隙激活鲁棒保持特性MoS2浮栅用于逻辑存储运算的存储器

文章预览

点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习，解决讨论问题，我们建立了一些微信群，作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291； 2.告知:姓名-课题组-研究方向，由编辑审核后邀请至对应交流群(生长，物性，器件)； 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告，具体联系人：13162018291（微信同号） 【研究背景】 闪存因其高存储容量而成为当前广泛使用的非易失性存储设备。标准闪存本质上是一种浮栅（Floating gate, FG）结构，由沟道层和数据浮栅层组成，数据浮栅层通过隧穿层和控制氧化物完全电隔离。然而，浮栅晶体管的有限保持时间限制了其作为非易失性存储器的潜力，这主要归因于栅极结构的复杂性以及浮栅层中存储电荷的泄漏问题。二维层状过渡金属二硫化物（如二硫化钼，MoS 2 ）具 ………………………………