半导体碳纳米管，彭练矛院士团队又一首次发现！

文章预览

半导体碳纳米管（CNT）一直被认为是构建超大规模场效应晶体管（FET）最有前途的通道材料，但完美的sp 2 C-C结构使稳定掺杂变得困难，限制了CNT器件的电设计性。 北京大学彭练矛院士 团队开发了一种内掺杂方法，通过用一维卤化物钙钛矿填充CNT以形成同轴异质结，从而实现稳定的n型场效应晶体管 （CNT-FET），用于构建互补金属氧化物半导体（CMOS）电子器件。最重要的是， 该研究首次展示了基于单独部分填充 CsPbBr 3 /CNT 的准破隙异质结隧道场效应晶体管 （TFET），并且表现出 35 mV dec -1 的亚阈值摆幅，高达4.9 μA/管的高导通电流和室温下高达105的开/关电流比。基于CsPbBr 3 /CNT同轴异质结的准BG TFET为构建高性能、超低功耗IC奠定了基础。 相关研究成果以“Inner Doping of Carbon Nanotubes with Perovskites for Ultralow Power Transistors”为题，6月11日发表于《Advanced Mat ………………………………