三星400层NAND，要来了

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容 编译自kedglobal ，谢谢。 全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年推出400层垂直NAND芯片，以引领人工智能热潮中快速增长的存储设备市场。据《韩国经济日报》获得了这家韩国科技巨头的存储芯片发展路线图显示，三星负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门计划首先在2026年生产至少400层单元垂直的垂直NAND，以最大限度提高容量和性能。 目前，三星量产286层高容量V9 NAND 芯片。 在目前的 NAND 芯片中，存储单元位于外围设备的顶部，而外围设备覆盖芯片的内部。然而，大约 300 层及以上的单元会经常损坏外围设备。 三星计划利用下一代第10代V NAND（V10）应用创新的按键合技术，即在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备，然后将它们键合在一起。三星表示，这种方法将实现具有 ………………………………