英特尔：Intel 3“3nm”工艺技术已量产

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英特尔表示，Intel 3（3nm级）工艺技术已在两个晶圆工厂投入大批量生产，该公司还提供了有关新生产节点的一些其他细节。新工艺带来更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V电压，适用于超高性能应用。该节点面向英特尔自己的产品以及代工厂客户，还将在未来几年内不断向前发展。 “我们的Intel 3正在俄勒冈州和爱尔兰工厂大批量生产，包括最近推出的Xeon 6‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’处理器。”英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez表示。 英特尔一直将Intel 3制造工艺定位于数据中心应用，这些应用需要通过改进的晶体管（与Intel 4相比）、降低晶体管通孔电阻的电源传输电路以及设计协同优化来实现尖端性能。生产节点支持 < 0.6V低压以及>1.3V高压以实现最大负载。在性能方面，英特尔承诺，新节点将在相同功率和晶体管密度下实现18%的性 ………………………………