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1，基础技术讲解 在谈索尼CIS的Gen级划分之前，得先把“硅通孔”以及“铜互连”技术说清楚。其中硅通孔技术英文名为“Through Silicon Via”（缩写为“TSV”），其通过在芯片上钻孔并填充金属等导电材料以容纳电极来垂直连接芯片。 制作带有TSV的晶圆后，通过封装在其顶部和底部形成微凸块，然后连接这些凸块。由于TSV允许凸块垂直连接，因此可以实现多芯片堆叠。该技术具有高导电性、低电阻电容延迟、低功耗等优点，可以显著增加逻辑芯片和存储器之间的带宽。 至于“铜互连”技术，亦被称为 DBI（直接键合，Direct Bond Interconnect）技术，是 Hybrid Bonding（混合键合）技术的一种。 术语“混合”表示同时能形成两种类型的界面结合（介电区与金属区），其中铜互连代表金属互连区为铜材质。 DBI Hybrid Bonding 并非硅通孔技术的取代演进——而是下凸
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