Nat. Commun.：原子薄异质结静电阱中可控的层间激子电离

主要观点总结

文章介绍了建立微信群以便同学交流学习、解决讨论问题，并介绍了课题组投递中文宣传稿的相关事宜。同时，文章也关注了一项研究成果：原子薄半导体异质结在构建高密度冷、可控激子方面的应用，美国哈佛大学Philip Kim等报道了使用静电栅极来控制层间激子（IEs）的密度。此外，文章还提供了图文导读和文献信息。

关键观点总结

关键观点1: 建立互助交流的微信群。

为了便利同学们交流学习，解决讨论问题，建立了微信群，并提供了具体的加入方式。

关键观点2: 课题组成果介绍。

原子薄半导体异质结提供了一个2D器件平台，用于构建高密度的冷、可控激子。美国哈佛大学的研究人员报道了使用静电栅极来控制层间激子的密度，并观察到了相关的物理现象。

关键观点3: 图文导读。

文章提供了关于研究成果的图文导读，包括电场调制层间激子能量、控制扩散行为、调节层间激子密度、层间激子相图等内容。

关键观点4: 文献信息。

文章提供了相关的文献信息，包括文献名称、DOI链接等。

文章预览

点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习，解决讨论问题，我们建立了一些微信群，作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291； 2.告知:姓名-课题组-研究方向，由编辑审核后邀请至对应交流群(生长，物性，器件)； 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告，具体联系人：13162018291（微信同号）             成果介绍 原子薄半导体异质结提供了一个2D器件平台，用于构建高密度的冷、可控激子。层间激子(IEs)，束缚电子和空穴定位于分离的2D量子阱层，具有永久的面外偶极矩和长寿命，允许根据需要调节其空间分布。 有鉴于此，近日， 美国哈佛大学Philip Kim等报道了使用静电栅极来俘获IEs并控制它们的密度 。通过电调制IE Stark移动，可以实现2×10 12 cm -2 以上的电子-空穴对浓度。在如此高 ………………………………