研究前沿：自旋霍尔-双线性磁电阻 | Nature Materials

文章预览

磁阻Magnetoresistance是一种基本的传输现象，对于读取各种信息存储、创新计算和传感器设备的磁性状态来说，是至关重要的。最近的研究，已经将磁电阻的范围扩展到非线性区域，例如与电场和磁场都成比例的双线性磁电阻bilinear magnetoelectric resistance (BMER)。 今日，新加坡国立大学（National University of Singapore）Dong-Jun Kim，Hyunsoo Yang等，在Nature Materials上发文，证明了双线性磁电阻BMER是一种普遍现象，也会出现在没有明确的动量空间自旋织构三维系统中。 理论表明，如果在顶部和底部界面处的自旋积累大小不相同，则自旋霍尔效应使双线性磁电阻BMER成为可能。双线性磁电阻BMER符号遵循重金属的自旋霍尔效应符号，从而证明双线性磁电阻BMER起源于体自旋霍尔效应。 实验表明，在三维系统中，双线性磁电阻BMER是一种普遍的非线性输运特性，特别是在反铁 ………………………………