NTT：基于uTP的TFLN平台实现的薄膜激光器

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    接着上篇，既然能够实现IIIV贴到Si上，那肯定，NTT通过微转移印刷（µTP）方法在TFLN平台上实现薄膜激光器和SOA异质集成，实现mW级输出功率和128 Gbit /s NRZ信号调制。     在TFLN平台上的各种集成技术，如混合集成，晶圆键合和微转移印刷（μTP），优缺点如表所示。     倒装键合可以使用传统的大功率激光器芯片，但在水平和垂直方向上都需要很高对准精度，耦合损耗相对较大（~ 5.2 dB）。     晶圆键合方法提供晶圆级生产率和精确对准的好处，但由于TFLN器件尺寸大，使得它不是一种具有成本效益的解决方案。     μTP将InP器件转移到TFLN平台上，不同晶圆分别加工，集成器件、位置和材料自由度高。 可以设计疏逝波耦合方式实现高效光耦合。 III-V 薄膜结构能够提供低功耗的高调制效率。     下图为薄膜DR LD和SOA在TFLN晶圆上uTp的示意 ………………………………