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研究背景 近年来,卤化物钙钛矿受到了极大的关注,其有望应用于光学和光电子学等领域。作为典型的直接带隙半导体,A 2 B + B’ 3+ X 6 型无铅卤化物钙钛矿 Cs 2 NaInX 6 以其长载流子寿命和稳定性而备受关注。然而,其本征材料表现出有限的发光性能,这主要归因于宇称禁阻跃迁。 尽管 Cs 2 NaInX 6 中部分阳离子取代得到了广泛探索并证明了该方法可以有效地改善其发光性能,但是关于该材料中阴离子组成变化对其发光性能影响尚不明确。 论文详情 近日,湘潭大学 孙立忠教授 带领研究团队利用第一性原理密度泛函理论(DFT)计算全面考察了阴离子组成变化对双钙钛矿 Cs 2 AgInCl 6 (X = Cl, Br, I) 的晶体结构、电子性质和发光性能的影响。研究者们首先对本征 Cs 2 AgInCl 6 (X = Cl, Br, I) 材料的能带结构和跃迁偶极矩进行了研究并确定了它们的宇称禁阻特
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