科普 | 晶圆表面污染及其检测方法

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晶圆表面洁净度会极大的影响后续半导体工艺及产品的合格率。在所有产额损失中，高达50%是源自于晶圆表面污染。 能够导致器件电气性能或器件制造过程发生不受控制的变化的物体统称为污染物。污染物可能来自晶圆本身、洁净室、工艺工具、工艺化学品或水。晶圆污染一般可以通过肉眼观察、过程检查、或是最终器件测试中使用复杂的分析设备检测到。 ▲ 硅晶圆表面的污染物  | 图源网络 污染分析的结果可用于反映晶圆在某一工艺步骤、特定机台或是整体工艺中所遭遇的污染程度与种类。根据检测方法分类，可将晶圆表面污染分为以下几种。 金属污染   由金属造成的污染，可导致不同程度的半导体器件缺陷。   碱金属或碱土金属（Li、Na、K、Ca、Mg、Ba等）会造成p-n结构中的漏电流，进而导致氧化物的击穿电压；过渡金属与重金属（Fe、Cr、N ………………………………