长春理工大学郭鑫课题组Adv. Energy Mater.：BiCuSeO陶瓷热电材料的超高压结构修饰及卓越性能

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▲共同第一作者：音展翔，张鹤（共同一作） 共同通讯作者：郭鑫，余愿，方旭飞 通讯单位：长春理工大学 论文DOI：10.1002/aenm.202403174 （点击文末「阅读原文」，直达链接）     全文速览 利用超高压制备技术在BiCuSeO陶瓷热电材料中实现了高密度位错（~9.1×10 16 m - 2 ），揭示了超高压力下位错的成核和增殖机制。得益于超高压诱导的高致密位错，高压制备BiCuSeO基陶瓷在767 K时获得了极低的晶格热导率（0.13 Wm -1 K -1 ），从而直接导致其热电性能（ zT ）达到创纪录的1.69，成为目前已报道的氧化物材料中最高的热电性能。该工作证明了超高压技术是一种有效引入高密度位错的物理手段，通过热力学的另一个维度（压力）克服了传统方法对陶瓷中位错调控的困难，为包括热电材料在内的功能性材料的性能优化提供了新策略。     背景介绍 超高压制备 ………………………………