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文章链接： https://www.nature.com/articles/s41928-024-01286-x 亮点： 1. 氧化镓栅介电层的应用 ：首次将自然形成的氧化镓用于二维材料的栅介电层，并证明其具有高介电常数和超薄等效氧化物厚度。 2. 优异的电学性能 ：Ga₂O₃栅介电层使MoS₂晶体管展现出出色的电学特性，包括低栅漏电流、高开关比和优异的亚阈值摆幅。 3. 范德华集成技术 ：通过范德华集成方法，实现了二维材料与Ga₂O₃栅介电层的完美结合，提供了更强的器件性能。 摘要 在基于二维半导体的晶体管中，金属氧化物层的沉积是制造栅介电层的关键步骤。然而， 当前用于二维半导体金属氧化物层沉积的技术存在质量问题，这些问题可能会影响晶体管性能。 在本研究中，我们展示了一种超薄且均匀的氧化镓（Ga₂O₃）， 该氧化物自然形成于液态金属表面，并通过挤压打印和
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