南洋理工大学田博/沙特国王科技大学张西祥—六方氮化硼 (hBN) | Nature Communications！

主要观点总结

该研究探索了通过化学气相沉积法（CVD）合成具有六边形形貌的单晶六方氮化硼（hBN）的物理机制。通过调节CVD系统中的微弱氧含量，成功合成了排列一致的六边形hBN岛，并基于此形成了连续、高质量的单晶单层hBN薄膜。这项研究为工业规模生产高质量、大面积的单晶hBN奠定了基础，并为二维材料在电子器件等领域的应用提供了新的途径。

关键观点总结

关键观点1: hBN作为二维绝缘材料的重要性及其在生产半导体工业中的应用

hBN对促进未来硅基电子器件和集成电路的发展具有战略意义。实现高质量、单层的hBN单晶的规模生产对于其在半导体工业中的应用至关重要。

关键观点2: 新型hBN的合成方法

研究团队探索了hBN的CVD生长过程中的物理机制，通过调节系统中的微弱氧含量，成功合成排列一致的六边形hBN岛，并形成了连续、高质量的单晶单层hBN薄膜。

关键观点3: DFT理论计算的应用

DFT理论计算研究了在微弱氧辅助环境中生长的hBN单层边缘的能量态，为hBN六边形岛形态形成机制提供了见解。

关键观点4: 研究成果的影响

该研究为工业规模生产高质量、大面积的单晶hBN奠定了基础，为二维材料在电子器件等领域的应用提供了新的途径，同时为新一代二维材料性电子器件的发展铺平了道路。

文章预览

研究简介 六方氮化硼（hBN）作为少数二维绝缘材料之一，对促进未来硅基电子器件和集成电路的发展具有战略意义。实现高质量、单层的hBN单晶的规模生产对于其在半导体工业中的应用至关重要。然而，化学气相沉积（CVD）合成hBN的物理机制尚未充分探索。其形态工程的研究对于研发大规模生产高质量hBN薄膜的合成技术至关重要。 近日，新加坡南洋理工大学田博研究员和沙特阿卜杜拉国王科技大学张西祥教授团队报导了一种新型具有六边形形貌的单晶hBN。 研究团队探索了hBN的CVD生长过程中的物理机制，发现少量氧气的参与可以有效调控单晶hBN岛的形状。通过调节CVD系统中的微弱的氧含量，成功合成了排列一致的六边形hBN岛，并通过这些定向的六边形岛在单晶金属箔衬底上的生长，形成了连续、高质量的单晶单层hBN薄膜。DFT理论计算研究了在微弱 ………………………………