主要观点总结
本文介绍了关于华科T150A光刻胶量产的消息，以及光刻胶国产化的难点、半导体产业链的联动、技术问题的初步突破和商业化等方面的内容。文章指出，光刻胶国产化的突破是半导体产业链全方位进步的结果，这次突破解决了有无问题，但距离最新的EUV光刻胶仍有差距。商业化是未来的挑战，需要解决成本问题。
关键观点总结
关键观点1: 华科T150A光刻胶量产的消息
华科公布了T150A光刻胶量产的消息，该光刻胶适用于干式光刻机，极限工艺在120纳米。原材料全部国产化，结合9月份工信部公开推广的两款DUV光刻机，至少可以预估，制程在120纳米以下的国产化芯片生产线有望搭建。
关键观点2: 光刻胶国产化的难点
光刻胶市场规模并不大，投资回报率很有限，日本产品物美价廉，很难吸引到民间资本长时间投入攻关。研发周期长，工程量大，是典型的经验学科， 研发需要挨个尝试几百个、几千个树脂、光酸和添加剂，上万种排列组合。产业链上也缺乏国内配套厂商， 树脂占到光刻胶原材料成本的50%，决定光刻胶的硬度、附着力等基本属性。国内化工厂办法生产，基本依赖进口。专利壁垒和上下游高度绑定的业态形式也是难点之一。
关键观点3: 半导体产业链的联动
从华科公布的消息看， T150A光刻胶的不仅实现了配发的自主，还在原材料上全部实现了国产化。在验证中发现T150A在3D堆叠工艺上有较大操作空间，侧壁垂直度优异有利于提高良品率。同时介绍了上下游企业间的联动合作情况。
关键观点4: 技术问题初步突破与商业化挑战
技术问题初步突破表现在工信部推广的干式ArF和Krf光刻机和华科的KrF光刻胶的突破上， 120纳米制程国产化技术上已经解决。但商业化是未来的挑战，赚钱辛苦且利润率低，商业化正循环难以建立。成本是商业化最大的障碍，只有能卖出去的才能叫产品。
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作者 | 梁云风 来源 | 秦朔朋友圈 4098字 阅读时间7 分钟 近日华科公布了T150A光刻胶量产的消息。 光刻胶材料分为G线、I线、KrF、ArF和EUV五代产品，华科的T150A属于第三代的KrF系列，适用于干式光刻机，并不是最顶尖的技术，极限工艺在120纳米，想要更高制程需要借助3D堆叠工艺。 关键词在于原材料全部国产化，之前大部分国产光刻胶实际上我们只搞出了配方，树脂、感光剂、光刻胶溶剂等关键原材料扔要进口，再结合9月份工信部公开推广的两款DUV光刻机，至少可以预估，制程在120纳米以下的国产化芯片生产线有望搭建。 如果有完整的芯片产业链，就可以不停的试验，原理知道的话，工程问题只是缺少有效的组织方式，资金，人才和时间。 01 光刻胶国产化的难点是什么？ 没有光刻胶，光刻机就是一堆废铁。 芯片并不是光刻机直接在晶圆上刻
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