主要观点总结
本文介绍了华南师范大学霍能杰研究员团队在Advanced Science期刊上发表的研究工作，涉及忆阻器的制造和性能优化。研究团队开发了一种热氧化技术，通过温和温度退火过程从纯金属钛（Ti）和二维SnSe2表面生产薄TiOx和SnOx膜。基于这种技术的忆阻器在低功耗存储系统中展示了高性能读/写操作的潜力。此外，该研究还将热氧化物忆阻器与2H-MoTe2晶体管集成，构建了1T1R结构，实现了多值存储和选择器功能。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景
忆阻器因存内计算能力在下一代高密度存储器和节能神经形态计算中表现出巨大潜力。基于氧空位导电丝的忆阻器在制造工艺、功耗和可靠性方面不断优化。然而，二维半导体忆阻器面临制造策略和性能挑战。
关键观点2: 成果介绍
研究团队提出了一种热氧化工艺，用于制造低功耗和超陡峭忆阻器。通过热氧化纯Ti和二维SnSe2，生长了具有丰富氧空位的TiOx和SnOx薄膜。该忆阻器表现出卓越的阈值开关性能，具有高开/关比、低阈值电压、长数据保持时间和稳定循环耐久性。
关键观点3: 技术特点
研究的忆阻器通过低成本、可扩展和与CMOS兼容的工艺制造，具有优秀的电特性。通过与2H-MoTe2晶体管集成，实现了1T1R结构，扩展了其在选择器功能和超低功耗多值存储方面的应用。此外，该研究还观察到了忆阻器在单极性易失性和双极性非易失性特性之间的转变。
关键观点4: 应用前景
该研究为高性能和高稳定性忆阻器的制造提供了一种实用技术，为高密度数据存储和存内计算应用铺平了道路。
关键观点5: 相关文献和联系方式
详细的文献信息和联系方法已提供，包括研究论文和合作机会。上海昂维科技有限公司提供相关材料和加工服务。
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