金兰800A 1200V AMB陶瓷基板的IGBT模块

主要观点总结

文章介绍了金兰LD3IGBT7模块JLHF800B120RD3E7DN的产品特点、应用、参数对比及金兰功率半导体的相关信息。该模块采用AMB陶瓷基板，具有高热导率、高可靠性，可广泛应用于多个领域。文章还提到了金兰模块与市场主流产品的参数对比，以及金兰公司的经营理念、地址和联系方式。

关键观点总结

关键观点1: 产品特点

金兰LD3IGBT7模块采用AMB陶瓷基板，具有高可靠性；全温度范围VCE耐压大于1200V，饱和压降低至1.7V；具备更低的导通损耗和开关损耗；具备10us的短路时间能力。此外，产品还通过了1000小时常温反偏阻断实验。

关键观点2: 应用领域

金兰模块可广泛应用于储能、光伏逆变、工业变频、电动汽车等领域。

关键观点3: 参数对比

金兰模块与市场主流产品参数相近，热阻具有明显优势，电特性和短路能力达到市场主流水平。

关键观点4: 公司介绍

金兰功率半导体（无锡）有限公司成立于2021年，是无锡新洁能股份有限公司的子公司，致力于功率半导体模块的研发与制造。公司提供优质的技术服务和高性价比的产品，与广大客户和行业同仁合作共赢。

文章预览

800A 1200V AMB陶瓷基板的 LD3 IGBT 7 模块 JLHF800B120RD3E7DN是金兰LD3封装模块中的一个典型产品，该产品为半桥拓扑，并内置热敏电阻（NTC）。该产品采用AMB(Si 3 N 4 )陶瓷基板，具有较高的热导率、更好的可靠性；芯片采用第七代IGBT, 实现了更高的功率密度和更低的功率损耗。该产品可广泛应用于储能、光伏逆变、工业变频、电动汽车等领域。 产品特点 全温度范围VCE耐压大于1200V 饱和压降低至1.7V，更低的导通损耗，卓越的开关损耗 10us的短路时间 除常规可靠性项目外，还可以通过1000小时常温反偏阻断实验（100%V ce ，RTRB） 采用AMB( Si 3 N 4 )基板，较常规基板热阻降低25%以上 采用AMB( Si 3 N 4 )基板，耐高低温冲击能力提高8倍以上 优化外壳结构，更长的爬电距离； 优化接线端子，在大电流下更低的端子温升 参数对比 选择与金兰模块相近规格的友商产品在相同 ………………………………