宾夕法尼亚州立大学Nat.Electron.：采用替代掺杂和厚度控制的二维材料高性能p型场效应晶体管

主要观点总结

文章介绍了基于二维材料的高性能p型场效应晶体管的研究进展。通过替代掺杂和厚度控制，研究团队成功降低了接触电阻，提高了二维FET的性能。该成果为未来二维材料在大规模集成电路中的应用奠定了基础。

关键观点总结

关键观点1: 建立微信群以便同学交流学习，解决讨论问题。

为了帮助同学们更好地交流学习和解决问题，建立了微信群，欢迎加入。

关键观点2: 二维半导体材料的新进展。

文章介绍了二维半导体材料在互补金属-氧化物-半导体技术中的潜在应用，以及宾夕法尼亚州立大学Saptarshi Das教授团队在简并掺杂方面的新进展。

关键观点3: 高性能p型场效应晶体管的实现。

通过替代掺杂和厚度控制，研究团队成功克服了传统方法中的瓶颈，显著降低了接触电阻，提高了二维FET的性能。该成果为二维材料在大规模集成电路中的应用奠定了基础。

关键观点4: 新的结构设计方法的应用。

为了进一步优化p型器件的性能，研究团队采用了一种新的结构设计方法，通过自限制蚀刻技术实现了高性能p型双栅2D FET的制造。

关键观点5: 文献信息和相关公司介绍。

文章最后提供了相关文献信息和上海昂维科技有限公司的介绍，该公司提供二维材料耗材、微纳加工服务和测试分析等服务。

文章预览

点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习，解决讨论问题，我们建立了一些微信群，作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291； 2.告知:姓名-课题组-研究方向，由编辑审核后邀请至对应交流群(生长，物性，器件)； 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告，具体联系人：13162018291（微信同号） 成果介绍 在互补金属-氧化物-半导体技术中，二维（2D）半导体已成为硅的潜在替代品。二硫化钼(MoS 2 )、二硒化钼(MoSe 2 )和二硒化钨(WSe 2 )等过渡金属二 硫 化物(TMD s )的单层极限厚度可薄至0.6纳米左右，但却能提供原子级的光滑无悬浮键表面，而类似厚度的块状半导体却很难做到这一点。基于MoS 2 和WS 2 等二维材料的n型场效应晶体管(FET)的发展使其更接近于满足国际器件和系统路线图的要求。这些发 ………………………………