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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c04316 摘要 在这项工作中，我们报道了一种使用化学气相沉积（CVD）生长的单层WS 2 场效应晶体管（FET）制成的n型金属氧化物半导体（nMOS）反相器。我们的CVD生长的大面积单层WS 2 FET展示了卓越的电学性能，包括高开关比、小亚阈值摆幅和优异的漏致势垒降低特性。这些特性通过使用AlO x /Al 2 O 3 进行的n型掺杂以及采用高介电常数HfO 2 的双栅结构得以实现。由于优越的亚阈值特性，单层WS 2 FET在亚阈值模式下表现出高跨导和高输出电阻，从而相比传统硅MOSFET显著提高了内在增益。因此，我们 成功实现了在亚阈值操作下的单层WS 2 nMOS反相器，在1 V和2 V电源电压（V DD ）下分别实现了564和2056的极高增益，并在V DD = 1 V时实现了约2.3 pW·μm –1 的低功耗。 此外，单层WS 2 nMOS反相器进一步扩展应用
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