综述：基于VLPE技术的碲镉汞p-on-n双层异质结材料与器件研究进展

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碲镉汞（ HgCdTe， MCT ）红外焦平面器件结构包括本征汞空位掺杂n-on-p、非本征掺杂n-on-p、n-on-p台面结器件、n⁺/p高密度垂直集成光电器件（HDVIP）、As离子注入p-on-n平面结、原位As掺杂p-on-n台面结、非平衡全耗尽p-π(ν)-n以及nBn 器件等。典型的MCT红外焦平面器件结构可以概括为n-on-p和p-on-n两种类型，如图1所示。n-on-p器件结构的低暗电流性能优势需要低浓度P型吸收层作为支撑，低浓度P型材料的稳定可控制备一直是MCT材料研究中不变的主题。随着红外探测器向长波/甚长波、高工作温度等方向发展，对器件暗电流提出了更高的要求，p-on-n型器件由于其在工程实现上的性能优势已成为重要的技术路线。 图1 MCT红外焦平面器件结构 据麦姆斯咨询报道，昆明物理研究所科研团队分析了p-on-n器件几种制备方式的优劣，报道了基于VLPE技术的p-on-n双层异质结器件（ ………………………………