中国科学院，再发Nature！

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由原子级薄材料组成的二维(2D)结构，由于其高载流子迁移率，一直被研究作为未来晶体管的候选材料。 然而，由于缺乏合适的高质量电介质，二维场效应晶体管(FETs)尽管具有优越的物理和电学性能，却无法实现其全部理论潜力和优势。 为此， 中国科学院上海微系统与信息技术研究所的科研团队 ，由田子傲与狄增峰等杰出研究者领衔，报道了如何制备出用于二维场效应晶体管（FETs）的顶级顶栅电介质——原子级厚度的单晶氧化铝（c-Al2O3）。这一突破性成果以题为“Single-crystalline Metal-Oxide Dielectrics for Top-Gate 2D Transistors”的论文形式，于2024年8月7日在国际顶级学术期刊《Nature》上发表。 成果介绍 随着硅(Si)基场效应晶体管(FETs)在尺寸缩放上日益逼近其物理极限，探索能够有效缓解短沟道效应的新一代半导体通道材料变得至关重要。在这一背景下， ………………………………