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晶体管有一个位于薄氧化层上的多晶硅栅，图上采用一个矩形表示 栅区 ，另一个矩形则表示 薄氧化层区 。 薄氧区通常被称作为有源区； 有源区 ：硅片上做有源器件的区域，业内通俗的把有后续杂质注入的地方都叫做有源区 栅和有源区的重叠区确定了器件的尺寸，栅长L和栅宽W 一、SPICE 英文全称Simulation Program for Integrated Circuits Emphasis，电路模拟仿真 利用SPICE去确定器件尺寸 1.1 大尺寸器件的设计 细长的晶体管存在 寄生电容 和 寄生电阻 问题 按照电路理论，两个靠的非常近的平行极板构成电容器，因此， 栅-薄氧化层-衬底 构成了一个很小的 寄生电容 对于细长的晶体管，不仅存在电容， 细长的栅 还会引入一个一定大小的 寄生电阻 这些不希望的电容和电阻被称为寄生元件，寄生电阻和寄生电容对于器件的版图是固有的，可以设法减小它们的
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