关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”，你需要知道的10件事

主要观点总结

本文介绍了关于国产光刻机的发展历程，从使用DUV光刻技术到追求更先进的EUV光刻技术的过程，以及所面临的挑战和进展。文章提到了制造7nm芯片所需的各项技术和经济因素，包括光刻胶、波长、多重曝光等。同时，也指出了国产光刻机目前所处的阶段和未来可能的发展方向。

关键观点总结

关键观点1: 国产光刻机正在逐步发展，但仍面临多重挑战。

从使用DUV光刻技术到追求EUV光刻技术，需要突破多项技术难关，如光源、反射镜、工作环境等。目前国产光刻机仍处在发展初期阶段，需要更多的创新和改进。

关键观点2: 制造7nm芯片需要多方面的技术和经济因素配合。

除了光刻技术，还需要考虑芯片制造的其他环节，如材料、工艺、设备等方面的配合。同时，制造7nm芯片也需要更高的成本和技术门槛。

关键观点3: 国产光刻机的发展需要长期投入和持续创新。

科技发展是一个长期的过程，需要不断的投入和创新。虽然目前国产光刻机面临很多挑战，但只要我们持续努力，就有可能实现技术突破和产业升级。

文章预览

前段时间，突然听到有很多人在问： 中国自己的7nm光刻机，是不是真的造出来了？ 起因，是9月9日国家工信部发布的一个通知：《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024版）》。 有人发现，《目录》里有2行，不对劲。很不对劲。 看图。 这两行，是什么意思？是连一个形容词都没有，就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗？ 下面那款光刻机的介绍里，怎么还有一个“≤8nm”？天哪，那不就是突破了卡脖子的“7nm”？ 很快，有人说：太好了。轻舟已过万重山，实锤了。中国终于有了自己的7nm光刻机，可以造出自己的7nm芯片，不怕再被卡脖子了。 可是，还有人说：别激动。只是误会。那个“8nm”不是重点，它上面那个“65nm”才是。国产芯片还只在65nm的水平，努努力最多也就能够到28nm，离7nm还远得很。 两种声音，两种节奏。 不知 ………………………………