台积电：2nm重大突破！1nm也没问题！

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一、台积电：第一家官宣2nm工艺，研发进度超前 据台湾经济日报报道，台积电2nm工艺取得重大突破，研发进度超前，业界看好其 2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。 据台媒透露，有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，研发进度超前。 据悉，台积电去年成立了2nm专案研发团队，寻找可行路径进行开发。 考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件，2nm采以环绕闸极（GAA）制程为基础的MBCFET架构，解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。 极紫外光（EUV）微显影技术的提升，使台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术更为成熟，良率提升进度较预期顺利。 台积电 ………………………………