碳化硅：从工业砥柱到科技革命的“超能材料”

主要观点总结

本文主要介绍了碳化硅（SiC）的物理与化学特性、制备工艺、应用领域、全球产业格局、未来趋势及中国在该领域的发展情况。

关键观点总结

关键观点1: 碳化硅的物理与化学特性

碳化硅是一种由硅和碳通过共价键结合的无机化合物，具有极端硬度、热稳定性和电学性能，使其成为航空航天、核能等领域的理想材料。

关键观点2: 碳化硅的制备工艺

碳化硅的工业化生产始于1891年，现代晶体制备流程包括长晶、切割与抛光、外延生长等步骤，目前全球仅少数企业掌握6英寸以上大尺寸晶圆量产技术。

关键观点3: 碳化硅的应用领域

碳化硅的应用领域广泛，包括工业砥柱、能源革命、下一代信息技术、国防与航天等，对传统工业到未来科技的全场景渗透。

关键观点4: 全球产业格局与中国突围之路

国际巨头垄断碳化硅市场，中国正通过技术突破、产能规划及未来战略等实现突围，向着碳化硅产业的制高点进发。

关键观点5: 未来趋势

碳化硅市场的未来趋势包括技术迭代、市场爆发和生态重构，预计未来市场规模将持续增长，并与人工智能、量子计算等技术结合，催生新型应用。

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免责声明 ：文章内容仅为研究参考资料，仅以学习交流，传播知识为目的， 文中所涉及的所有个股都不构成投资建议 【温馨提示】 股市有风险 ， 投资需谨慎 。 一、碳化硅的物理与化学特性 碳化硅（SiC）是一种由硅和碳通过共价键结合的无机化合物，化学式为SiC。其晶体结构分为α型（六方晶系，如黑碳化硅、绿碳化硅）和β型（立方晶系，如3C-SiC）。 极端硬度：莫氏硬度达9.5级，仅次于金刚石，抗拉强度为钢铁的5倍； 热稳定性：熔点高达2700℃，导热率（490W/m·K）是硅的4-5倍，可耐受高温氧化环境； 电学性能：禁带宽度达3.3eV（硅仅1.1eV），击穿场强为硅的8倍，支持高频、高压、低损耗的电力电子应用。 这些特性使其在极端环境下仍能保持性能稳定，成为航空航天、核能等领域的理想材料。 二、制备工艺：从矿石到晶片的科技跃迁 碳化硅 ………………………………