文章预览
本文来源于北京大学新闻网！ 一、研究背景： 传统硅基技术在亚3nm节点接近其物理极限，亟需新的半导体材料来实现集成电路的进一步缩放。二维半导体凭借其原子级超薄结构和高迁移率优势，能够在超短沟道晶体管中实现优异的静电控制和开态特性，被视为亚1nm技术节点集成电路芯片的潜力沟道材料，受到全球领先半导体芯片企业和研究机构（如英特尔、台积电、三星和欧洲微电子中心）的高度关注。 然而，二维晶体管面临严重的金属-半导体接触费米钉扎效应，这极大地制约了二维晶体管性能。因此，如何实现二维半导体和金属电极的欧姆接触是制备高性能弹道晶体管的关键因素。 此外，目前国际上实现的高性能二维晶体管多基于机械剥离或厘米级的二维单晶，如何基于晶圆级二维半导体实现高性能晶体管的规模化制备，是推动二维电子学
………………………………
