2024，Advanced Materials——Ga₂O₃封装提升黑磷和MoTe₂的环境稳定性

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文章链接： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202403494?saml_referrer 亮点： 1. Ga₂O₃范德华封装方法 ：首次提出通过液态镓制备的超薄Ga₂O₃封装二维材料，并通过该方法实现无需去除封装层的直接器件制造。 2. 高稳定性与长效保持时间 ：封装后的黑磷和MoTe₂器件在环境条件下的（光）电性能比未封装器件保持时间长数百倍。 3. 超薄高介电常数特性 ：Ga₂O₃作为超薄高介电常数材料，不仅保护材料免受环境影响，还可作为介质层应用于器件中。 4. 直接器件制造 ：通过选择性蚀刻Ga₂O₃层，成功实现了器件的直接加工，并确保封装材料保持完好。             摘要 环境稳定性是二维材料应用中的一个关键点，特别是对于那些易受空气影响的材料，如黑磷（BP）和过渡金属碲化物。 传统的封装方法，如原子层沉积氧化物和异质集成六方氮化 ………………………………