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光入射到材料上,可引起电导率的变化,这种现象称之为光阻photoresistance。在半导体中,光阻是负的,因为光诱导促进了电子穿过带隙,以增加了参与传输的电荷载流子数量。在超导体和正常金属中,由于超导态被破坏和增强的动量弛豫散射,光阻是正的。 近日,新加坡国立大学(National University of Singapore)M. Kravtsov, A. L. Shilov,D. A. Bandurin等,在Nature Nanotechnology上发文,报道了掺杂金属石墨烯标准行为的定性偏差。研究发现,在连续太赫兹terahertz (THz)辐射时,狄拉克电子可从晶格中热退耦decoupled,从而激活流体动力学电子输运。 在这种情况下,由于太赫兹THz驱动相关电子的超弹道流superballistic flow,石墨烯收缩的电阻降低。还分析了负光阻,对载流子密度和辐射功率的依赖性,并表明这种超弹道器件,可作为灵敏的声子冷却测辐射热
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