Nano Letters | 中国科学院强磁场科学中心：实现单个斯格明子的精准操控，开启自旋电子学新篇

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因公众号更改推送规则，请点“在看”并加“星标”第一时间获取精彩内容 在科技飞速发展的当下，自旋电子学领域迎来了一项具有里程碑意义的研究成果。来自中国的科研团队成功实现了在纳米结构立方体内对单个偶极斯格明子的确定性操作，为自旋电子器件的发展带来了新的曙光。 在现代信息技术中，随机存取存储器（RAM）的性能提升一直是研究热点。磁性 RAM（MRAM）因其独特的优势备受关注，而磁性斯格明子作为一种具有巨大潜力的信息载体，其研究成为了推动 MRAM 发展的关键方向。斯格明子具有类似漩涡的自旋纹理，拥有如晶格和液相、纳米级可调节尺寸以及小电流密度驱动的相干运动等特殊性质，使其有可能成为构建高性能自旋电子器件的核心要素。 在本次研究中，科研团队选用了 这一特殊材料。 是一种中心对称的单轴磁体，在室温 ………………………………