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「诺奖得主」最新Nature,半导体材料重大突破!

微算云平台  · 公众号  ·  · 2024-06-16 08:34
    

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【高端测试 找华算】 专注测试分析服务、自有球差电镜机时、全球同步辐射资源,10000+单位服务案例! 经费预存选华算,高至16%预存增值! 研究背景 鉴于半导体材料科学的发展,漏磁性氮化镓(GaN)与镁(Mg)之间的相互作用备受关注。早期,人们通过取代镁原子掺杂到GaN中实现了p型掺杂,从而为白光发射二极管的实现打下了基础。然而,尽管这一突破具有重要意义,但由此产生的问题也显而易见:低空穴迁移率。这一问题限制了GaN等三/氮化物半导体的性能表现。与此同时,应变工程被认为是一种提高GaN载流子迁移率的潜在策略。然而,要在GaN中实现并保持高弹性应变一直是一项艰巨的任务。 另一方面,插层技术在纳米技术领域具有重要意义,它被广泛应用于制造人工层状结构。但通常情况下,插层技术主要应用于范德瓦尔斯材料,因为这 ………………………………

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