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纳米压印光刻技术旨在与极紫外光刻(EUV)竞争

IEEE电气电子工程师学会  · 公众号  ·  · 2025-01-08 15:10
    

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点击蓝字 关注我们 SUBSCRIBE  to US CANON 9月,佳能交付了一种技术的首个商业版本,该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻技术(NIL,nanoimprint lithography),它能够绘制出小至14纳米的电路特征——使逻辑芯片达到与英特尔、超微半导体(AMD)和英伟达现正大量生产的处理器相当的水平。 纳米压印光刻系统具有的优势可能对当今主导先进芯片制造、价值1.5亿美元的极紫外(EUV,https://spectrum.ieee.org/tag/euv)光刻扫描仪构成挑战。如果佳能的说法正确,其设备最终将以极低的成本生产出具有EUV品质的芯片。 该公司的方法与极紫外光刻系统完全不同,极紫外光刻系统由总部位于荷兰的阿斯麦(ASML)独家生产。这家荷兰公司采用一种复杂的工艺:首先用千瓦级的激光将熔化的锡滴击打成等离子体,等离子体会发出13. ………………………………

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