突破性创新：新型3D异质集成存储器件助力下一代微电子发展

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来源：Allen Tang 近日，新加坡国立大学Aaron V.-Y Thean研究团队在国际电子器件顶级会议IEDM 2024上发表了一项重要研究成果《1T1R and 2TOC1R IGZO-MoS 2 AIl-BEOL 3D Memory Cells》。该团队成功开发出一种基于IGZO-MoS 2 的全后道工艺（BEOL）3D存储单元，为未来高性能、低功耗的微电子系统开辟了新的发展方向。 图1. 单片三维集成存储阵列的演进及本工作亮点。我们研究了IGZO晶体管和MoS 2 忆阻器异质集成的器件-技术协同优化 (DTCO)，以实现器件缩小和存储密度提升，同时开展了基于3D流水线计算系统的1T1R和2T0C1R存储单元的系统-技术协同优化 (STCO)。 技术创新破解集成难题 随着人工智能和大数据时代的到来，传统的硅基微电子器件正面临着前所未有的挑战。在有限的芯片面积内实现更高性能和更低功耗的需求日益迫切。垂直方向的3D集成为解决这一问题提供了可能，而 ………………………………