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文章链接： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202418615?saml_referrer 摘要 过渡金属二硫化物（TMDs）作为原子级薄的半导体，因其高迁移率和构建范德华异质结构的潜力，被视为下一代电子器件的有力候选材料。然而， 场效应晶体管（FET）中对阈值电压（Vth）的精准控制仍是重大挑战，阻碍了二维材料电路在定制化电子功能方面的发展。 本文提出了一种石墨烯辅助的一步范德华集成技术，用于制造多阈值二维功能电路。石墨烯表面无悬挂键的独特特性被用作中间层，使各种功函数的电极和高-κ介质层能够在二维通道材料上一步完成转移。利用此技术， 成功制备了以铝为栅极的MoS 2 FET（Vth为−0.2 V）和以金为栅极的MoS 2 FET（Vth为1.9 V） 。这种精确性支持了大噪声裕度轨到轨反相器等功能器件的开发。此外，进一步实现了更复杂的
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