香港理工AM：Voc达1.23 V！超分子组装模板调控埋底界面实现高性能钙钛矿太阳能电池，

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尽管钙钛矿太阳能电池（PSCs）在过去十年中发展迅速，但其开路电压（Voc）仍落后于理论Shockley-Queisser极限。能级失配和关键界面处的非辐射复合是导致VOCVOC损失的主要因素。 本文 香港理工大学李刚、唐金耀和刘宽等人 通过自组装两亲性磷酸酯衍生物（MeOBTBT-POEt），在SnO22/钙钛矿埋底界面构建了一种钙钛矿结晶驱动的模板。该高度取向的超分子模板通过固-固相变演化形成，诱导钙钛矿沿垂直方向优先结晶为（100）晶面，并通过消除能垒促进载流子提取和传输。这种自组装过程通过功能化基团主动钝化SnO2/钙钛矿界面的本征缺陷，显著区别于传统钝化方法的偶然接触效应。 基于此策略的PSCs实现了25.34%的光电转换效率（PCE）， Voc 达1.23 V（对应带隙1.536 eV的钙钛矿，电压损失仅0.306 V），达到理论 Voc 极限的97.2%。此外，该策略还显著提升了器件在热 ………………………………