Nb诱导氧空位：开辟SnO₂量子点可见光降解微塑料的新路径

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第一作者：刘剑桥 通讯作者：符策、王俊生、张倩茹 通讯单位：大连海事大学、中国农业科学院 论文DOI：10.1039/D4TA07579J 全文速览 能带结构是半导体光催化剂设计中的关键因素，尤其在纳米结构尺寸逐渐减小的情况下，禁带宽度的变化对光催化性能至关重要。由于量子限域效应，纳米材料的禁带宽度通常会增加，这会限制其光催化效率。为了解决这一问题，本文提出了一种创新的双缺陷带工程策略，在SnO 2 量子点中掺入Nb原子，并诱导氧空位，从而优化其能带结构并显著提高光催化性能。研究表明，Nb掺杂能够在SnO 2 晶格中引入施主能级，而氧空位通过填补施主能级与导带之间的能隙，有效地将导带边缘扩展至费米能级。这种双缺陷协同效应不仅缩小了禁带宽度，还为电子跃迁提供了丰富的缺陷态，并延长了光生载流子的寿命，显著增强了光催化 ………………………………