2024,ACS AMI——散热与电性能双提升：MoS₂场效应晶体管的高k介质层解决方案

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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsami.4c12143 亮点： 1. 混合高介电层设计 ：采用Al₂O₃/HfO₂混合高介电层，有效降低了MoS₂与介电层之间的界面热阻，提升了热散发效率。 2. 提高热管理性能 ：通过改进热界面，MoS₂晶体管的工作温度相比传统HfO₂界面降低了49.5°C，解决了过热问题。 3. 提升电性能 ：通过减少界面电子散射和陷阱态，MoS₂器件在混合高介电层上的迁移率和电流显著提高。 4. 全方位提升性能 ：该混合介电层技术提供了在热和电性能上双重提升的高效方案，为二维半导体器件的商业化应用奠定了基础。             摘要 过渡金属二硫化物（TMDs）如MoS₂因其二维结构和卓越的电学性能，被认为是超越硅的关键沟道材料，推动晶体管的持续缩小。然而， MoS₂与介质层之间的不理想界面形态和振动声子频率不匹配，导致低热边 ………………………………