旭化成氮化铝半导体基板材料使用面积增至4.5倍

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旭化成将氮化铝基板的可使用面积扩大至99%(照片右)   面向新一代功率半导体的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的研发取得进展，但在化合物半导体中，氮化铝耐高电压的指标最高，因此电力损耗最小。旭化成力争到2027年作为基板实现实用化……       日本旭化成在功率半导体等用的氮化铝基板方面，成功将可使用面积扩大至以往量产产品的4.5倍。采用直径4英寸(约100毫米)的基板，可使用面积从原来的80%扩大至99%。迈向实用化的评估成为可能，今后将开始向半导体厂商供应样品，力争到2027年作为基板实现实用化。         面向新一代功率半导体的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的研发取得进展，但在化合物半导体中，氮化铝耐高电压的指标最高，因此电力损耗最小。实用化需要实现大口径化，2023年在全球首次成功实现4英寸化。此次将可使用面积 ………………………………