大基金三期——HBM高宽带内存产业链梳理

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5月24日，国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司成立，法定代表人为张新，注册资本3440亿元人民币 ，经营范围为私募股权投资基金管理、创业投资基金管理服务，以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动，企业管理咨询。 此前有机构研究报告表示，国家大基金的前两期主要投资 方向集中在设备和材料领域，为我国芯片产业的初期发展奠定了坚实基础。随着数字经济 和人工智能 的蓬勃发展， 算力芯片和储存芯片将成为产业链上的关键节点 。此次大基金三期，除了延续对 半导体 设备和材料的支持外， 更有可能将HBM等高附加值DRAM芯片列为重点投资对象 。 HBM产业链梳理： （一）设备端： 重点关注： 深孔刻蚀、气相沉积、铜填充、清洗、CMP去除多余的金属、晶圆减薄、晶圆键合等工序涉及的设备。 1、前道环节： HBM 需要通过 ………………………………