金刚石膜，大突破！

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　　金刚石具有适用于各种量子和电子技术的卓越材料特性。然而，单晶金刚石的异质外延生长仍然有限，阻碍了金刚石基技术的集成和发展。为此，芝加哥大学的研究人员将单晶金刚石膜直接键合到各种材料上，包括硅、熔融石英、蓝宝石、热氧化物和铌酸锂。这种键合工艺结合了定制的膜合成、转移和干表面功能化，可最大程度地减少污染，同时提供接近统一产量和可扩展性的途径。 　　研究人员生成的键合晶体膜厚度低至10纳米，界面区域为亚纳米，厚度变化范围为 200 x 200 μm2。测量了150纳米厚的键合膜中氮空位中心的自旋相干时间T2，高达623 ± 21 μs，适用于高级量子应用。展示了将高品质因数纳米光子腔与金刚石异质结构集成的多种方法，突出了该平台在量子光子应用中的多功能性。此外，还展示了这种超薄金刚石膜与全内反射荧光 (T ………………………………