文章预览
LED的小型化可以支持高分辨率AR/VR。然而,与电子集成电路中的硅缩放不同,LED中无机III-V半导体的图形在亚微米尺度大大降低了器件效率。 针对这个问题, 苏黎世联邦理工学院和华中科技大学展示了纳米级 OLED 的可扩展制造,其具有迄今为止报道的最高阵列密度(>84,000像素/英寸)和最小像素尺寸(~100纳米)。 有机半导体的直接纳米分子图案化是通过在附着在衬底的独立氮化硅薄膜制造的纳米孔进行自对准蒸发实现。从400万像素以上的纳米级OLED器件中提取的平均EQE高达10%。在亚波长尺度,单个像素充当电致发光的元原子,形成直接将电转换为调制光的超表面。纳米像素之间的衍射耦合可以控制远场发射特性,包括方向性和偏振性。 团队指出,研究结果为尺寸小于阿贝衍射极限的明亮表面光源奠定了基础,并为超分辨率成像、光谱学、传感和混
………………………………