这项技术，将大幅降低SiC/GaN成本

文章预览

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID： i c ban k）综合自日经，谢谢。 日本旭化成在功率半导体等用的氮化铝基板方面，成功将可使用面积扩大至以往量产产品的4.5倍。采用直径4英吋(约100毫米)的基板，可使用面积从原来的80%扩大至99%。迈向实用化的评估成为可能，今后将开始向半导体厂商供应样品，力争到2027年作为基板实现实用化。 面向新一代功率半导体的碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的研发取得进展，但在化合物半导体中，氮化铝耐高电压的指标最高，因此电力损耗最小。实用化需要实现大口径化，2023年在全球首次成功实现4英吋化。此次将可使用面积从原来的80%增至99%，达到了可面向实用化进行评估和验证的尺寸。 可使用面积与传统量产产品的2英吋相比增至4.5倍，有助于削减成本。此前，基 ………………………………