先进封装：硅通孔TSV之绝缘层、粘附层和种子层及未来发展方向（10275字）

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点击 最 下方 “在看”和“ ”并分享，“关注”材料汇 添加 小编微信 ，遇见 志同道合 的你 写在前面 （文末有惊喜） 一直在路上，所以停下脚步，只在于分享 包括： 新 材料/ 半导体 / 新能源/光伏/显示材料 等 正文 涉及材料及工艺： ——绝缘层： （1）无机介质绝缘层材料：二氧化硅、硅烷（SiH4）和正硅酸乙酯（TEOS）；（2）聚合物绝缘层材料：酚醛环氧、丙烯酸酯改性环氧、酚醛、有机硅、PI、PBO、BCB、Parylene；（3）PVD、SACVD、PECVD、喷涂、旋涂或纳米喷涂技术、PVPD、电接枝技术 ——粘附层/扩散阻挡层： 黏附层一般选择Ti、TiW等材料；扩散阻挡层一般选择Ti、Ta、TiN、TaN等材料；工艺涉及磁控溅射、化学镀和原子沉积技术 ——种子层： 主要为铜种子层，材料为高纯铜靶材和铜合金靶材。工艺涉及磁控溅射、化学镀和原子沉积技术、湿法工艺 ………………………………