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Nat.Commun.:用于单片集成电路的二维半导体的精确 p 型和 n 型掺杂

低维 昂维  · 公众号  · 半导体 科技自媒体  · 2024-11-11 21:16

主要观点总结

文章介绍了关于建立微信群以促进学生交流、投稿和成果宣传的事项。掺杂技术在半导体中的重要作用,以及北京大学等研究者提出的共溅射掺杂技术及其在二维半导体材料中的应用。此外,还提供了一些图文导读和文献信息。

关键观点总结

关键观点1: 建立微信群以促进学生交流讨论

通过添加编辑微信,告知姓名、课题组和研究方向,审核后可加入对应的交流群。

关键观点2: 掺杂技术在半导体中的重要作用

掺杂是改变半导体电学特性的重要手段,例如提拉法和离子注入是常用的掺杂技术。

关键观点3: 共溅射掺杂技术在二维半导体中的应用

北京大学等研究者提出了一种共溅射掺杂技术,可在二维半导体碲化钼薄膜中实现精准地空穴导电(p型)或电子导电(n型)的二维半导体掺杂技术,成功制造出芯片尺寸的二维互补型反相器电路阵列。

关键观点4: 文献信息和链接

文章提供了文献信息和链接,介绍了相关的研究内容和成果。


文章预览

点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习,解决讨论问题,我们建立了一些微信群,作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291; 2.告知:姓名-课题组-研究方向,由编辑审核后邀请至对应交流群(生长,物性,器件); 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿,免费宣传成果,发布招聘广告,具体联系人:13162018291(微信同号) 成果介绍 掺杂是指在半导体中有意识地引入数量可控的特定杂质原子,以改变其电学特性。例如,在硅的熔化过程中,可以在熔化前加入磷或硼等掺杂剂,通过提拉法生产出具有不同导电类型和导电水平的单晶硅片。精确掺杂p、n型区域的能力对于调整互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(FET)的阈值电压尤为重要。此外,离子注入是硅基集成电路的一项基本技术,可以选择性掺杂特定区域 ………………………………

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