碳化硅功率器件的封装革命：大面积烧结银的崛起

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2018年标志性的转变—使用碳化硅MOSFET替换传统硅基IGBT于主驱逆变器中，为碳化硅技术在电动汽车中的广泛应用奠定了基础。此后，多家国内新能源汽车领先品牌纷纷投身碳化硅器件的研发应用。新技术的不断涌现，如800V高压快充，以及新能源汽车市场的持续扩张，极大促进了碳化硅产业的飞速发展。 在新能源汽车取得巨大成功的背后，碳化硅功率模块扮演了举足轻重的角色。从传统功率模块转型到碳化硅功率模块，对功率电子模块及其封装工艺提出了更高的要求，尤其是芯片与基板的连接技术在很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。传统的锡焊料由于熔点低、导热性差，难以满足封装高功率器件在高温和高功率密度条件下的应用需求。随着芯片工作温度要求的不断提升，至175°C甚至更高，连接技术的机械和热性能要求也随之提升。传统方 ………………………………