新洁能150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品介绍

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150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度。同时，二极管反向恢复特性大幅优化，反向恢复电荷Qg相对上一代降低43%，更利于减小电路应用中的电压、电流尖峰，增强电路系统稳定性。另外，从器件本身出发，通过设计优化，加强了栅极抗振荡能力，使其更不易发生米勒振荡，减少电路应用的开发时间和成本。全系产品的阈值电压Vth相对上一代产品也做了提升，最大程度防止误开启现象。 150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品广泛适用于新能源汽车OBC、通信服务器、光伏储能、不间断电源UPS、电机驱动等领域，可提供TO-220、TO-263、TO-247、TOLL、DFN5x6等封装形式。                    产品型号                    产品特点 ◆  超低特征导通电阻Rsp（ ………………………………