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编辑总结 本研究通过界面外延法成功制备了具有高电流密度和载流子迁移率的六方过渡金属二硫化物（3R-TMDs）单晶。该研究通过持续在单晶镍衬底与金属和硫层间界面提供金属和硫来实现一致的3R堆积序列生长。在硫化钼（MoS 2 ）、硒化钨（WSe 2 ）和MoS 2 (1-x)Se 2 x等组成物上，实现了从几层到15,000层的厚度控制，并实现了晶片尺度的生长。观察到了高载流子迁移率以及高效的非线性参数下转换。—Phil Szuromi 科学背景 在当今科技进步迅速的背景下，二维过渡金属二硫化物（TMDs）作为一种前景广阔的材料，在下一代电子集成电路（ICs）和光子ICs中展示出了巨大的潜力。特别是菱面层状（3R）TMDs相对于其单层和六角形（2H）对应物，展现出了增强的电流密度和更高的载流子迁移率，使其在亚5纳米节点晶体管通道方面具有显著的应用前景。 然而，传统的 ………………………………