​南京理工大学张胜利教授/曾海波教授团队：二维“孤立能带”沟道材料实现超陡亚阈值摆幅MOSFET

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第一作者：屈恒泽 共同通讯作者：张胜利，曾海波 通讯单位：南京理工大学新型显示材料与器件工信部重点实验室 论文DOI：10.1016/j.scib.2024.03.017                 全文速览 随着晶体管特征尺寸微缩至亚10纳米，二维材料有望能够克服短沟道效应并减小泄漏电流，成为下一代低功耗集成电路的重要组成部分。近日，南京理工大学新型显示材料与器件工信部重点实验室曾海波教授和张胜利教授团队在《Science Bulletin》期刊发表了题为《Identifying atomically thin isolated-band channels for intrinsic steep-slope transistors by high-throughput study》的研究论文。论文第一作者为南京理工大学材料科学与工程学院屈恒泽博士，南京理工大学曹江教授，中科院微电子所吴振华教授，南京大学王欣然教授、李卫胜博士，中科院金属所任文才教授，香港大学李连忠教授以及香港理工大学 ………………………………