半导体中baseline是什么？

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1. 工艺制程基线 • 光刻工艺：包括光刻机的分辨率、套准精度等参数。例如，对于先进制程，光刻分辨率基线可能是小于10纳米的线条宽度，套准精度要求在数纳米范围内，这是实现高精度芯片图案转移的关键。 • 刻蚀工艺：如刻蚀速率、刻蚀选择性、刻蚀均匀性等基线。刻蚀速率根据不同材料和工艺需求有具体的范围，比如在刻蚀硅时，速率可能在每分钟几十纳米到几百纳米之间；刻蚀选择性要保证在刻蚀目标材料时尽量不损伤相邻材料，像硅对二氧化硅的刻蚀选择性可能要求达到10:1左右。 • 薄膜沉积工艺：薄膜的厚度、均匀性和台阶覆盖率等是关键基线。例如，化学气相沉积（CVD）制备的二氧化硅薄膜，厚度精度可能要求控制在±5%以内，均匀性在晶圆表面偏差也在较小范围内，以保证芯片电学性能的一致性。 2. 设备性能基线 • 光刻机： ………………………………